研究领域或方向

半导体中缺陷光学、电学等特性的第一性原理计算；拓扑材料的第一性原理计算。

教育工作经历

• 2019-08 至 2021-08, 南方科技大学，物理系，博士后

• 2014-09 至 2019-06, 哈尔滨工业大学, 凝聚态物理专业, 博士

• 2017-03 至 2018-02, 帝国理工学院，材料系，访问学生

• 2015-09 至 2016-08, 伦敦大学学院，化学系，CSC联培博士生

• 2012-09 至 2014-07, 哈尔滨工业大学, 凝聚态物理专业, 硕士

• 2008-08 至 2012-07, 哈尔滨工业大学, 光信息科学与技术专业, 学士

学术成果介绍

项目：

2022年广东省区域联合基金-青年基金项目：GaN:C中缺陷光学和电学性质的QM/MM法研究

2024年国家自然科学基金-青年科学项目：缺陷调控磁性拓扑绝缘体表面态带隙及费米能级机理研究

论文：

1. (1) Xie Z, Buckeridge J, Catlow C R A, Zhang A, Keal T W, Sherwood P, Lu Y, Woodley S M, Sokol A A. Overcoming the compensation of acceptors in GaN:Mg by defect complex formation[J]. APL Materials. 11(8): 080701 (2023)

2. (2) Zhang C, Wang Y, Zhang F, Rong H, Cai Y, Wang L, Ma X M, Guo S, Chen Z, Wang Y, Jiang Z, Yang Y, Liu Z, Ye M, Lin J, Mei J, Hao Z*, Xie Z*, Chen C*. Multiple surface states, nontrivial band topology, and antiferromagnetism in GdAuAl4Ge2[J]. Chinese Physics B 32(7): 077401 (2023)（共同通讯）

3. Z. J. Chen, Z. J. Xie, Y. J. Jin, G. Liu, and H. Xu, Hybrid nodal-ring phonons with hourglass dispersion in AgAlO2, Phys. Rev. Materials 6, 034202 (2022) （共同一作）

4. Xu W, Lu J, Cao S, Chen Z, Xie Z*, Xu H*. High stability and inoxidizability of monolayer topological insulator ZrTe5[J]. Journal of Physical Chemistry C 126(37): 16069–16074 (2022) （共同通讯）

5. Z. Xie, X. Huang, Z. Zhang, H. Xu, Identification of electronic descriptor for catalytic activity of transition-metal and non-metal doped MoS₂, Physical Chemistry Chemical Physics 23, 15101(2021) (2021 HOT PCCP article)

6. Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, C. R. A. Catlow, T. W. Keal, P. Sherwood, A. Walsh, M. R. Farrow, D. O. Scanlon, S. M. Woodley, A. A. Sokol, Donor and acceptor characteristics of native defects in GaN, Journal of Physics D: Applied Physics 52, 335104 (2019)

7. Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, A. A. Sokol, T. W. Keal, A. Walsh, Prediction of multiband luminescence due to the gallium vacancy–oxygen defect complex in GaN, APPLIED PHYSICS LETTERS 112, 262104 (2018)

8. Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, C. R. A. Catlow, T. W. Keal, P. Sherwood, A. Walsh, D. O. Scanlon, S. M. Woodley, A. A Sokol, Demonstration of the donor characteristics of Si and O defects in GaN using hybrid QM/MM, PHYSICA STATUS SOLIDI A 214, 1–5 (2017)

9. Z. Xie, Y. Sui, Y. Wang, X. Wang, Y. Wang, Z. Liu, B. Li, Y. Bai, Z. Wang, Modulation of Void Motion Behavior in a Magnetized Dusty Plasma, Chinese Physics Letters 33, 015201 (2016)